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文献
J-GLOBAL ID：202202277615819763
整理番号：22A0902887
1T相MoS_2電極を有する二次元SiCトランジスタのP型ドーピング誘起性能改善【JST・京大機械翻訳】
P-type doping induced performance improvement of two-dimensional SiC transistors with 1T-phase MoS2 electrode
Xie Hai-Qing
(Hunan Provincial Key Laboratory of Flexible Electronic Materials Genome Engineering, School of Physics and Electronic Science, Changsha University of Science and Technology, Changsha 410114, China)
,
Cui Kai-Yue
(Hunan Provincial Key Laboratory of Flexible Electronic Materials Genome Engineering, School of Physics and Electronic Science, Changsha University of Science and Technology, Changsha 410114, China)
,
Cai Xi-Ya
(Hunan Provincial Key Laboratory of Flexible Electronic Materials Genome Engineering, School of Physics and Electronic Science, Changsha University of Science and Technology, Changsha 410114, China)
,
Fan Zhi-Qiang
(Hunan Provincial Key Laboratory of Flexible Electronic Materials Genome Engineering, School of Physics and Electronic Science, Changsha University of Science and Technology, Changsha 410114, China)
資料名：
Physics Letters. A
(Physics Letters. A)
巻： 431 ページ： Null 発行年： 2022年
JST資料番号： C0600B ISSN： 0375-9601 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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