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文献
J-GLOBAL ID：202202277805146255
整理番号：22A1161874
超低動作電圧を有する分子強誘電体の単結晶薄膜メモリアレイ【JST・京大機械翻訳】
Single-Crystalline Thin-Film Memory Arrays of Molecular Ferroelectrics with Ultralow Operation Voltages
Xu Mingsheng
(School of Information Science and Technology, Fudan University, People’s Republic of China)
,
Chen Jiajun
(School of Information Science and Technology, Fudan University, People’s Republic of China)
,
Zhou Xiaojie
(School of Information Science and Technology, Fudan University, People’s Republic of China)
,
Xie Yongfa
(School of Chemistry and Chemical Engineering/Ordered Matter Science Research Center, Nanchang University, People’s Republic of China)
,
Chen Luqiu
(Key Laboratory of Polar Materials and Devices (MOE), Department of Electronics, East China Normal University, People’s Republic of China)
,
Wang Jiao
(School of Information Science and Technology, Fudan University, People’s Republic of China)
,
Sheng Chenxu
(School of Information Science and Technology, Fudan University, People’s Republic of China)
,
Tian Bobo
(Key Laboratory of Polar Materials and Devices (MOE), Department of Electronics, East China Normal University, People’s Republic of China)
,
Wang Hong
(School of Materials, Sun Yat-sen University, People’s Republic of China)
,
Wang Wenchong
(Physikalisches Institut and Center for Nanotechnology, Universitaet Muenster, Germany)
,
Cong Chunxiao
(School of Information Science and Technology, Fudan University, People’s Republic of China)
,
Qiu Zhi-Jun
(School of Information Science and Technology, Fudan University, People’s Republic of China)
,
Liu Ran
(School of Information Science and Technology, Fudan University, People’s Republic of China)
,
Hu Laigui
(School of Information Science and Technology, Fudan University, People’s Republic of China)
資料名：
ACS Materials Letters
(ACS Materials Letters)
巻： 4 号： 4 ページ： 758-763 発行年： 2022年
JST資料番号： W6388A ISSN： 2639-4979 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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