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文献
J-GLOBAL ID：202202277814555957
整理番号：22A0499720
液相エピタクシーにより作製したNi/SiO_2/P-Siダイオードの電流輸送と誘電解析【JST・京大機械翻訳】
Current Transport and Dielectric Analysis of Ni/SiO2/P-Si Diode Prepared by Liquid Phase Epitaxy
Ashery A.
(Solid State Electronics Laboratory, Solid State Physics Department, Physics Division, National Research Centre, Giza, Egypt)
,
Elnasharty Mohamed M. M.
(Microwave Physics and Dielectrics Department, National Research Centre, Giza, Egypt)
,
El Radaf I. M.
(Electron Microscope and Thin Films Department, Physics Division, National Research Centre, Giza, Egypt)
,
El Radaf I. M.
(Materials Physics and Energy Laboratory, College of Sciences and Art at ArRass - Qassim University, ArRass, Saudi Arabia)
資料名：
Silicon
(Silicon)
巻： 14 号： 1 ページ： 153-163 発行年： 2022年
JST資料番号： W4947A ISSN： 1876-9918 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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