前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：202202278244334274
整理番号：22A0707241
電子シナプス用の非対称GaN/ZnO人工抵抗メモリデバイス【JST・京大機械翻訳】
Asymmetric GaN/ZnO Engineered Resistive Memory Device for Electronic Synapses
Khan Muhammad Umair
(Department of Ocean System Engineering, Jeju National University, Republic of Korea)
,
Khan Muhammad Umair
(Department of Electronic and Computer Engineering, The Hong Kong University of Science and Technology, Hong Kong)
,
Furqan Chaudhry Muhammad
(Department of Electronic and Computer Engineering, The Hong Kong University of Science and Technology, Hong Kong)
,
Furqan Chaudhry Muhammad
(State Key Laboratory on Advanced Displays and Optoelectronics Technologies, The Hong Kong University of Science and Technology, Hong Kong)
,
Kim Jungmin
(Department of Ocean System Engineering, Jeju National University, Republic of Korea)
,
Khan Sobia Ali
(School of Electronics Engineering, Chungbuk National University, South Korea)
,
Saqib Qazi Muhammad
(Department of Ocean System Engineering, Jeju National University, Republic of Korea)
,
Chougale Mahesh Y.
(Department of Ocean System Engineering, Jeju National University, Republic of Korea)
,
Shaukat Rayyan Ali
(Department of Ocean System Engineering, Jeju National University, Republic of Korea)
,
Kang Moon Hee
(School of Electronics Engineering, Chungbuk National University, South Korea)
,
Kobayashi Nobuhiko P.
(Baskin School of Engineering, University of California Santa Cruz, California, United States)
,
Bae Jinho
(Department of Ocean System Engineering, Jeju National University, Republic of Korea)
,
Kwok Hoi-Sing
(Department of Electronic and Computer Engineering, The Hong Kong University of Science and Technology, Hong Kong)
,
Kwok Hoi-Sing
(State Key Laboratory on Advanced Displays and Optoelectronics Technologies, The Hong Kong University of Science and Technology, Hong Kong)
資料名：
ACS Applied Electronic Materials
(ACS Applied Electronic Materials)
巻： 4 号： 1 ページ： 297-307 発行年： 2022年
JST資料番号： W5669A ISSN： 2637-6113 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。