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J-GLOBAL ID:202202278969240244   整理番号:22A0680713

半導体[(CH_3)P_4]FeCl_4における温度誘起相転移 Raman散乱と誘電率【JST・京大機械翻訳】

Temperature induced phase transitions in semiconducting [(CH3)P4]FeCl4: A Raman scattering and dielectric permittivity
著者 (1件):
ben gzaiel M.
(Laboratory for spectroscopic characterization and optics of materials, Faculty of Sciences, University of Sfax, B.P. 1171, Sfax 3000, Tunisia)

資料名:
Journal of Molecular Structure  (Journal of Molecular Structure)

巻: 1254  ページ: Null  発行年: 2022年 
JST資料番号: B0948B  ISSN: 0022-2860  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 文献レビュー  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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