文献
J-GLOBAL ID:202202278969240244
整理番号:22A0680713
半導体[(CH_3)P_4]FeCl_4における温度誘起相転移 Raman散乱と誘電率【JST・京大機械翻訳】
Temperature induced phase transitions in semiconducting [(CH3)P4]FeCl4: A Raman scattering and dielectric permittivity
著者 (1件):
ben gzaiel M.
(Laboratory for spectroscopic characterization and optics of materials, Faculty of Sciences, University of Sfax, B.P. 1171, Sfax 3000, Tunisia)
資料名:
Journal of Molecular Structure
(Journal of Molecular Structure)
巻:
1254
ページ:
Null
発行年:
2022年
JST資料番号:
B0948B
ISSN:
0022-2860
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
文献レビュー
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)