文献
J-GLOBAL ID:202202279607778606
整理番号:22A0979579
65nm CMOSにおけるDRAMグローバルバスラインのためのFFE結合接地強制バイアス技術で5.6mm以上の78.8fJ/b/mm 12.0Gb/s/ワイヤ容量駆動オンチップリンク【JST・京大機械翻訳】
A 78.8fJ/b/mm 12.0Gb/s/Wire Capacitively Driven On-Chip Link Over 5.6mm with an FFE-Combined Ground-Forcing Biasing Technique for DRAM Global Bus Line in 65nm CMOS
著者 (3件):
Lee Sangyoon
(Seoul National University,Seoul,Korea)
,
Yun Jaekwang
(Seoul National University,Seoul,Korea)
,
Kim Suhwan
(Seoul National University,Seoul,Korea)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2022
号:
ISSCC
ページ:
454-456
発行年:
2022年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)