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文献
J-GLOBAL ID：202202279887875679
整理番号：22A1094852
ヘテロエピタキシャルβ-Ga_2O_3薄膜太陽ブラインド光検出器における酸素空孔の効果【JST・京大機械翻訳】
Effect of oxygen vacancies in heteroepitaxial β-Ga2O3 thin film solar blind photodetectors
Xu Rui
(School of Electronic Science and Engineering (National Model Microelectronics College), Xiamen University, Xiamen, Fujian, 361005, PR China)
,
Ma Xiaocui
(School of Electronic Science and Engineering (National Model Microelectronics College), Xiamen University, Xiamen, Fujian, 361005, PR China)
,
Chen Yanhui
(School of Electronic Science and Engineering (National Model Microelectronics College), Xiamen University, Xiamen, Fujian, 361005, PR China)
,
Mei Yang
(School of Electronic Science and Engineering (National Model Microelectronics College), Xiamen University, Xiamen, Fujian, 361005, PR China)
,
Ying Leiying
(School of Electronic Science and Engineering (National Model Microelectronics College), Xiamen University, Xiamen, Fujian, 361005, PR China)
,
Zhang Baoping
(School of Electronic Science and Engineering (National Model Microelectronics College), Xiamen University, Xiamen, Fujian, 361005, PR China)
,
Long Hao
(School of Electronic Science and Engineering (National Model Microelectronics College), Xiamen University, Xiamen, Fujian, 361005, PR China)
資料名：
Materials Science in Semiconductor Processing
(Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 144 ページ： Null 発行年： 2022年
JST資料番号： W1055A ISSN： 1369-8001 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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