文献
J-GLOBAL ID:202202280089580683
整理番号:22A0974782
単原子レベル反射率と相変化メモリ設計のための極薄アンチモン薄膜の厚さ依存結晶化【JST・京大機械翻訳】
Thickness-Dependent Crystallization of Ultrathin Antimony Thin Films for Monatomic Multilevel Reflectance and Phase Change Memory Designs
著者 (2件):
Yimam Daniel T.
(Zernike Institute for Advanced Materials, University of Groningen, The Netherlands)
,
Kooi Bart J.
(Zernike Institute for Advanced Materials, University of Groningen, The Netherlands)
資料名:
ACS Applied Materials & Interfaces
(ACS Applied Materials & Interfaces)
巻:
14
号:
11
ページ:
13593-13600
発行年:
2022年
JST資料番号:
W2329A
ISSN:
1944-8244
CODEN:
AAMICK
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)