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文献
J-GLOBAL ID：202202281260679895
整理番号：22A0854468
高抵抗シリコン基板のRF性能に及ぼすN_oxと埋め込みPN接合効果【JST・京大機械翻訳】
Nox and Buried PN junctions effect on RF performance of High-Resistivity Silicon substrates
Moulin Maxime
(Universite ́ Grenoble Alpes,CEA, LETI,Grenoble,France)
,
Rack Martin
(Universite ́ catholique de Louvain,ICTEAM,Louvain-la-Neuve,Belgium)
,
Fache Thibaud
(Universite ́ Grenoble Alpes,CEA, LETI,Grenoble,France)
,
Nabet Massinissa
(Universite ́ catholique de Louvain,ICTEAM,Louvain-la-Neuve,Belgium)
,
Chalupa Zdenek
(Universite ́ Grenoble Alpes,CEA, LETI,Grenoble,France)
,
Plantier Christophe
(Universite ́ Grenoble Alpes,CEA, LETI,Grenoble,France)
,
Allibert Frederic
(SOITEC,Bernin,France)
,
Gaillard Fred
(Universite ́ Grenoble Alpes,CEA, LETI,Grenoble,France)
,
Lugo Jose
(Universite ́ Grenoble Alpes,CEA, LETI,Grenoble,France)
,
Hutin Louis
(Universite ́ Grenoble Alpes,CEA, LETI,Grenoble,France)
,
Raskin Jean-Pierre
(Universite ́ catholique de Louvain,ICTEAM,Louvain-la-Neuve,Belgium)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2022 号： SiRF ページ： 23-26 発行年： 2022年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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