文献
J-GLOBAL ID:202202281363883559
整理番号:22A0771534
持続可能なエネルギーデバイスに用いる化学堆積硫化スズアンチモン薄膜の錯化剤依存特性【JST・京大機械翻訳】
Complexing Agent-Dependent Properties of Chemically Deposited Tin Antimony Sulphide Thin Films for Use in Sustainable Energy Devices
著者 (3件):
Nwofe Patrick Akata
(Faculty of Science and Technology, Department of Electrical Engineering, Tokyo University of Science, Noda, Japan)
,
Nwofe Patrick Akata
(Faculty of Science, Department of Industrial Physics, Ebonyi State University, Abakaliki, Nigeria)
,
Sugiyama Mutsumi
(Faculty of Science and Technology, Department of Electrical Engineering, Tokyo University of Science, Noda, Japan)
資料名:
Journal of Electronic Materials
(Journal of Electronic Materials)
巻:
51
号:
3
ページ:
1148-1162
発行年:
2022年
JST資料番号:
D0277B
ISSN:
0361-5235
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
ドイツ (DEU)
言語:
英語 (EN)