文献
J-GLOBAL ID:202202281833198070
整理番号:22A0626608
二重リセス障壁層を有するGAN HEMTの高周波雑音モデリング【JST・京大機械翻訳】
High-frequency noise modeling of GAN HEMT with double recessed barrier layer
著者 (5件):
Wu Zhaohui
(School of Microelectronics, South China University of Technology, Guangzhou, China)
,
Wu Zhaohui
(Intelligent Sensing and Wireless Transmission Center, Pazhou Lab, Guangzhou, China)
,
Li Shanshan
(School of Microelectronics, South China University of Technology, Guangzhou, China)
,
Li Bin
(School of Microelectronics, South China University of Technology, Guangzhou, China)
,
Li Bin
(Intelligent Sensing and Wireless Transmission Center, Pazhou Lab, Guangzhou, China)
資料名:
Microwave and Optical Technology Letters
(Microwave and Optical Technology Letters)
巻:
64
号:
3
ページ:
464-470
発行年:
2022年
JST資料番号:
T0712A
ISSN:
0895-2477
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)