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文献
J-GLOBAL ID：202202281842176577
整理番号：22A0958720
二重電源電圧を有する4Mb SRAMにおける過渡電離放射線効果の研究【JST・京大機械翻訳】
Investigation on Transient Ionizing Radiation Effects in a 4-Mb SRAM With Dual Supply Voltages
Li Tongde
(Laboratory of Science and Technology on Radiation Hardened Integrated Circuits, China Aerospace Science and Technology Corporation (CASC), Fengtai, Beijing, China)
,
Zhao Yuanfu
(Laboratory of Science and Technology on Radiation Hardened Integrated Circuits, China Aerospace Science and Technology Corporation (CASC), Fengtai, Beijing, China)
,
Wang Liang
(Laboratory of Science and Technology on Radiation Hardened Integrated Circuits, China Aerospace Science and Technology Corporation (CASC), Fengtai, Beijing, China)
,
Shu Lei
(Laboratory of Science and Technology on Radiation Hardened Integrated Circuits, China Aerospace Science and Technology Corporation (CASC), Fengtai, Beijing, China)
,
Zheng Hongchao
(Laboratory of Science and Technology on Radiation Hardened Integrated Circuits, China Aerospace Science and Technology Corporation (CASC), Fengtai, Beijing, China)
,
Cao Weiyi
(Laboratory of Science and Technology on Radiation Hardened Integrated Circuits, China Aerospace Science and Technology Corporation (CASC), Fengtai, Beijing, China)
,
Yuan Jingshuang
(Laboratory of Science and Technology on Radiation Hardened Integrated Circuits, China Aerospace Science and Technology Corporation (CASC), Fengtai, Beijing, China)
,
Li Junlin
(Northwest Institute of Nuclear Technology, Xi’an, China)
,
Wang Chenhui
(Northwest Institute of Nuclear Technology, Xi’an, China)
資料名：
IEEE Transactions on Nuclear Science
(IEEE Transactions on Nuclear Science)
巻： 69 号： 3 ページ： 340-348 発行年： 2022年
JST資料番号： C0235A ISSN： 0018-9499 CODEN： IETNAE 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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