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文献
J-GLOBAL ID：202202281978953999
整理番号：22A0847732
ボトムアイソレーションとパッケージオプションを考慮したマルチナノシートFETにおける自己加熱効果の解析【JST・京大機械翻訳】
Analysis of Self-Heating Effects in Multi-Nanosheet FET Considering Bottom Isolation and Package Options
Yoo Changhyun
(Department of Electrical and Electronic Engineering, Konkuk University, Seoul, South Korea)
,
Chang Jeesoo
(Data and Information Technology (DIT) Center, Samsung Electronics, Hwasung-si, South Korea)
,
Seon Yoongeun
(Design Enablement Team, Samsung Electronics, Hwasung-si, South Korea)
,
Kim Hyunwoo
(Department of Electrical and Electronic Engineering, Konkuk University, Seoul, South Korea)
,
Jeon Jongwook
(Department of Electrical and Electronic Engineering, Konkuk University, Seoul, South Korea)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 69 号： 3 ページ： 1524-1531 発行年： 2022年
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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