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J-GLOBAL ID：202202282959725707 整理番号：22A1043478

1.25kVの近単一理想因子とアバランシェ降伏電圧を有する分布分極ドープGaN p-nダイオード【JST・京大機械翻訳】

Distributed polarization-doped GaN p-n diodes with near-unity ideality factor and avalanche breakdown voltage of 1.25 kV

著者 (14件)：

Nomoto Kazuki

(School of Electrical and Computer Engineering, Cornell University, Ithaca, New York 14853, USA)

Li Wenshen

(School of Electrical and Computer Engineering, Cornell University, Ithaca, New York 14853, USA)

Song Bo

(School of Electrical and Computer Engineering, Cornell University, Ithaca, New York 14853, USA)

Hu Zongyang

(School of Electrical and Computer Engineering, Cornell University, Ithaca, New York 14853, USA)

Zhu Mingda

(School of Electrical and Computer Engineering, Cornell University, Ithaca, New York 14853, USA)

Qi Meng

(Department of Electrical Engineering, University of Notre Dame, Notre Dame, Indiana 46556, USA)

Protasenko Vladimir

(School of Electrical and Computer Engineering, Cornell University, Ithaca, New York 14853, USA)

Zhang Zexuan

(School of Electrical and Computer Engineering, Cornell University, Ithaca, New York 14853, USA)

Pan Ming

(IQE, Somerset, New Jersey 08873, USA)

Gao Xiang

(IQE, Somerset, New Jersey 08873, USA)

Marchand Hugues

(IQE, Somerset, New Jersey 08873, USA)

Johnson Wayne

(IQE, Somerset, New Jersey 08873, USA)

Jena Debdeep

(School of Electrical and Computer Engineering, Cornell University, Ithaca, New York 14853, USA)

Xing Huili Grace

(School of Electrical and Computer Engineering, Cornell University, Ithaca, New York 14853, USA)

資料名：

Applied Physics Letters (Applied Physics Letters)

巻： 120 号： 12 ページ： 122111-122111-7 発行年： 2022年
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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