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文献
J-GLOBAL ID：202202283054274326
整理番号：22A0233132
二次元遷移金属ジカルコゲナイドとそれらのヘテロ構造:トップダウンおよびボトムアップ合成アプローチにおけるプロセスパラメータの役割【JST・京大機械翻訳】
Two-dimensional transition metal dichalcogenides and their heterostructures: Role of process parameters in top-down and bottom-up synthesis approaches
Rani Sonam
(Department of Physics, Guru Jambheshwar University of Science & Technology, Hisar, 125001, India)
,
Sharma Meenu
(Department of Physics, Guru Jambheshwar University of Science & Technology, Hisar, 125001, India)
,
Verma Deepak
(Department of Physics, Guru Jambheshwar University of Science & Technology, Hisar, 125001, India)
,
Ghanghass Anjali
(Department of Physics, Guru Jambheshwar University of Science & Technology, Hisar, 125001, India)
,
Bhatia Ravi
(Department of Physics, Guru Jambheshwar University of Science & Technology, Hisar, 125001, India)
,
Sameera I.
(Department of Physics, Guru Jambheshwar University of Science & Technology, Hisar, 125001, India)
資料名：
Materials Science in Semiconductor Processing
(Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 139 ページ： Null 発行年： 2022年
JST資料番号： W1055A ISSN： 1369-8001 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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