文献
J-GLOBAL ID:202202283177769024
整理番号:22A0977203
ADAPT:スケール化相変化メモリのための書込み障害を意識したプログラミング技術【JST・京大機械翻訳】
ADAPT: A Write Disturbance-Aware Programming Technique for Scaled Phase Change Memory
著者 (3件):
Imran Muhammad
(Department of Electrical Engineering, School of Electrical Engineering and Computer Science, National University of Sciences and Technology, Islamabad, Pakistan)
,
Kwon Taehyun
(System LSI Division, Samsung Electronics, Hwaseong, South Korea)
,
Yang Joon-Sung
(Department of System Semiconductor Engineering and School of Electrical and Electronics Engineering, Yonsei University, Seoul, South Korea)
資料名:
IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems
(IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems)
巻:
41
号:
4
ページ:
950-963
発行年:
2022年
JST資料番号:
B0142C
ISSN:
0278-0070
CODEN:
ITCSDI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)