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J-GLOBAL ID:202202284126388021   整理番号:22A1165327

貯蔵市場における成長需要のためのCOP構造を有する第7世代3D VNANDフラッシュ製品の開発【JST・京大機械翻訳】

Development of 7th generation 3D VNAND Flash Product with COP structure for Growing Demand in Storage Market
著者 (7件):
Lim Joonsung
(Samsung Electronics Co.,Department of Flash Product and Technology,Pyeongtaek,Gyeonggi,Korea,17786)
Chung Soochan
(Samsung Electronics Co.,Department of Flash Product and Technology,Pyeongtaek,Gyeonggi,Korea,17786)
Ko Dong-Hyeon
(Samsung Electronics Co.,Department of Flash Product and Technology,Pyeongtaek,Gyeonggi,Korea,17786)
Sung Suk-Kang
(Samsung Electronics Co.,Department of Flash Product and Technology,Pyeongtaek,Gyeonggi,Korea,17786)
Noh Kyungyoon
(Samsung Electronics Co.,Department of Flash Product and Technology,Pyeongtaek,Gyeonggi,Korea,17786)
Ahn Su Jin
(Samsung Electronics Co.,Department of Flash Product and Technology,Pyeongtaek,Gyeonggi,Korea,17786)
Song Jai Hyuk
(Samsung Electronics Co.,Department of Flash Product and Technology,Pyeongtaek,Gyeonggi,Korea,17786)

資料名:
IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)

巻: 2022  号: ICEIC  ページ: 1-4  発行年: 2022年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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