文献
J-GLOBAL ID:202202284155631097
整理番号:22A0427802
低エネルギーイオン散乱分光法による欠陥InP(001)表面の研究【JST・京大機械翻訳】
Investigation of Defect InP(001) Surface by Low Energy Ion Scattering Spectroscopy
著者 (5件):
Karimov Muxtor K.
(Urgench State University, Urgench Uzbekistan 14, Khamid Olimjan St.)
,
Kuryozov F.O.
(Urgench Branch of Tashkent Medical Academy, Urgench Uzbekistan 28, Al-Khorazmi St.)
,
Sadullaev Sh.R.
(Urgench State University, Urgench Uzbekistan 14, Khamid Olimjan St.)
,
Otabaev M.U.
(Urgench State University, Urgench Uzbekistan 14, Khamid Olimjan St.)
,
Bobojonova S.B.
(Urgench State University, Urgench Uzbekistan 14, Khamid Olimjan St.)
資料名:
Materials Science Forum
(Materials Science Forum)
巻:
1049
ページ:
192-197
発行年:
2022年
JST資料番号:
D0716B
ISSN:
0255-5476
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
スイス (CHE)
言語:
英語 (EN)