文献
J-GLOBAL ID:202202286095931465
整理番号:22A0924356
室温における優れたNO_2センシングのためのMoS_2の基底面の活性化と修飾【JST・京大機械翻訳】
Activating and modifying the basal planes of MoS2 for superior NO2 sensing at room temperature
著者 (5件):
Zhang Liaochuan
(School of Science, Xi’an Technological University, Xi’an 710032, China)
,
Liang Yuyu
(School of Science, Xi’an Technological University, Xi’an 710032, China)
,
Yu Lingmin
(School of material and chemical engineering, Xi’an Technological University, Xi’an 710032, China)
,
Wang Hongjun
(Department of Physics, Shaanxi University of Science and Technology, Xi’an 710021, China)
,
Yin Mingli
(School of Science, Xi’an Technological University, Xi’an 710032, China)
資料名:
Sensors and Actuators. B. Chemical
(Sensors and Actuators. B. Chemical)
巻:
359
ページ:
Null
発行年:
2022年
JST資料番号:
T0967A
ISSN:
0925-4005
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)