文献
J-GLOBAL ID:202202286555252274
整理番号:22A0983332
通常オフ高Electron移動度発光トランジスタの設計とシミュレーション【JST・京大機械翻訳】
Design and Simulation of Normally Off High-Electron-Mobility Light-Emitting Transistor
著者 (3件):
Makki Aya Hekmet
(Department of Electronics Engineering, Yeungnam University, Gyeongsan, 38541, South Korea)
,
Makki Aya Hekmet
(Laser and Optoelectronics Engineering Department, University of Technology-Iraq, Baghdad, Iraq)
,
Park Si-Hyun
(Department of Electronics Engineering, Yeungnam University, Gyeongsan, 38541, South Korea)
資料名:
Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science
(Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻:
219
号:
6
ページ:
e2100547
発行年:
2022年
JST資料番号:
D0774A
ISSN:
1862-6300
CODEN:
PSSABA
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
ドイツ (DEU)
言語:
英語 (EN)