文献
J-GLOBAL ID:202202287591029116
整理番号:22A1100869
受動RRAMクロスバアレイを用いた長期短期メモリ実装【JST・京大機械翻訳】
Long Short-Term Memory Implementation Exploiting Passive RRAM Crossbar Array
著者 (3件):
Nikam Honey
(Department of Mechanical Engineering, IIT Kanpur, Kanpur, India)
,
Satyam Siddharth
(Department of Mechanical Engineering, IIT Kanpur, Kanpur, India)
,
Sahay Shubham
(Department of Electrical Engineering, IIT Kanpur, Kanpur, India)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
69
号:
4
ページ:
1743-1751
発行年:
2022年
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)