文献
J-GLOBAL ID:202202287831519775
整理番号:22A0956460
Janus2H-VSSe単分子層:不揮発性バレー分極を有する二次元バレートロニック半導体【JST・京大機械翻訳】
Janus 2H-VSSe monolayer: two-dimensional valleytronic semiconductor with nonvolatile valley polarization
著者 (2件):
Abdollahi Mahsa
(Department of Physics, University of Guilan, P.O. Box 41335-1914, Rasht, Iran)
,
Bagheri Tagani Meysam
(Department of Physics, University of Guilan, P.O. Box 41335-1914, Rasht, Iran)
資料名:
Journal of Physics. Condensed Matter
(Journal of Physics. Condensed Matter)
巻:
34
号:
18
ページ:
185702 (12pp)
発行年:
2022年
JST資料番号:
B0914B
ISSN:
0953-8984
CODEN:
JCOMEL
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)