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文献
J-GLOBAL ID：202202287838120307
整理番号：22A0847645
(110)CナノドットHダイヤモンド上のMOSFET:ALD Al_2O_3/ダイヤモンド界面解析と高性能正規OFF動作実現【JST・京大機械翻訳】
MOSFETs on (110) C-H Diamond: ALD Al2O3/Diamond Interface Analysis and High Performance Normally-OFF Operation Realization
Liu Benjian
(Faculty of Science and Engineering, Waseda University, Shinjuku, Tokyo, Japan)
,
Bi Te
(Faculty of Science and Engineering, Waseda University, Shinjuku, Tokyo, Japan)
,
Fu Yu
(Faculty of Science and Engineering, Waseda University, Shinjuku, Tokyo, Japan)
,
Kudara Ken
(Faculty of Science and Engineering, Waseda University, Shinjuku, Tokyo, Japan)
,
Imanishi Shoichiro
(Faculty of Science and Engineering, Waseda University, Shinjuku, Tokyo, Japan)
,
Liu Kang
(National Key Laboratory of Science and Technology on Advanced Composites in Special Environments, Harbin Institute of Technology, Harbin, China)
,
Dai Bing
(National Key Laboratory of Science and Technology on Advanced Composites in Special Environments, Harbin Institute of Technology, Harbin, China)
,
Zhu Jiaqi
(National Key Laboratory of Science and Technology on Advanced Composites in Special Environments, Harbin Institute of Technology, Harbin, China)
,
Kawarada Hiroshi
(Faculty of Science and Engineering, Waseda University, Shinjuku, Tokyo, Japan)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 69 号： 3 ページ： 949-955 発行年： 2022年
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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