文献
J-GLOBAL ID:202202287900693562
整理番号:22A0856761
シリコンヘテロ接合太陽電池のためのp型エミッタ層の結晶性を促進するCO_2プラズマ処理【JST・京大機械翻訳】
CO2 plasma treatment to promote crystallinity of p-type emitter layer for the silicon heterojunction solar cells
著者 (1件):
Jiang Yuanjian
(Department of Physics and Electronic Engineering, Heze University, Heze, P. R. China)
資料名:
Journal of Materials Science. Materials in Electronics
(Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻:
33
号:
7
ページ:
3670-3675
発行年:
2022年
JST資料番号:
W0003A
ISSN:
0957-4522
CODEN:
JMTSAS
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
ドイツ (DEU)
言語:
英語 (EN)