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文献
J-GLOBAL ID：202202287989027366
整理番号：22A0549848
pドープシリコン電界エミッタの電流飽和準位の起源【JST・京大機械翻訳】
Origin of the current saturation level of p-doped silicon field emitters
Edler Simon
(Institute of Physics, Faculty of Electrical Engineering and Information Technology, Universitaet der Bundeswehr Muenchen, 85577 Neubiberg, Germany)
,
Schels Andreas
(Institute of Physics, Faculty of Electrical Engineering and Information Technology, Universitaet der Bundeswehr Muenchen, 85577 Neubiberg, Germany)
,
Herdl Florian
(Institute of Physics, Faculty of Electrical Engineering and Information Technology, Universitaet der Bundeswehr Muenchen, 85577 Neubiberg, Germany)
,
Hansch Walter
(Institute of Physics, Faculty of Electrical Engineering and Information Technology, Universitaet der Bundeswehr Muenchen, 85577 Neubiberg, Germany)
,
Bachmann Michael
(Ketek GmbH, 81737 Munich, Germany)
,
Dudeck Markus
(Ketek GmbH, 81737 Munich, Germany)
,
Duesberg Felix
(Ketek GmbH, 81737 Munich, Germany)
,
Pahlke Andreas
(Ketek GmbH, 81737 Munich, Germany)
,
Hausladen Matthias
(Faculty of Applied Natural Sciences and Cultural Studies, OTH Regensburg, 93053 Regensburg, Germany)
,
Buchner Philipp
(Faculty of Applied Natural Sciences and Cultural Studies, OTH Regensburg, 93053 Regensburg, Germany)
,
Schreiner Rupert
(Faculty of Applied Natural Sciences and Cultural Studies, OTH Regensburg, 93053 Regensburg, Germany)
資料名：
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena
(Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 40 号： 1 ページ： 013203-013203-8 発行年： 2022年
JST資料番号： E0974A ISSN： 2166-2746 CODEN： JVTBD9 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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