前のページに戻る この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写(冊子体のコピー)をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID:202202287992572190   整理番号:22A0919830

スパッタリングプロセスによる高移動度シリコン酸化インジウム薄膜トランジスタの作製【JST・京大機械翻訳】

High mobility silicon indium oxide thin-film transistor fabrication by sputtering process
著者 (7件):
Arulkumar S.
(Advanced Materials and Devices Laboratory, PSG Institute of Advanced Studies, Peelamedu, Coimbatore, 641004, India)
Parthiban S.
(Advanced Materials and Devices Laboratory, PSG Institute of Advanced Studies, Peelamedu, Coimbatore, 641004, India)
Kwon J.Y.
(School of Integrated Technology, Yonsei University, Incheon, 406-840, Republic of Korea)
Uraoka Y.
(Division of Materials Science, Graduate School of Science and Technology, Nara Institute of Science and Technology, 8916-5 Takayama, Ikoma, Nara, 630-0101, Japan)
Bermundo J.P.S.
(Division of Materials Science, Graduate School of Science and Technology, Nara Institute of Science and Technology, 8916-5 Takayama, Ikoma, Nara, 630-0101, Japan)
Mukherjee Arka
(Emerging Nanoelectronic Devices Research Laboratory (eNDR Lab), School of Physics, Indian Institute of Science Education and Research Thiruvananthapuram (IISER TVM), Maruthamala PO, Vithura, Thiruvananthapuram, 695551, Kerala, India)
Das Bikas C.
(Emerging Nanoelectronic Devices Research Laboratory (eNDR Lab), School of Physics, Indian Institute of Science Education and Research Thiruvananthapuram (IISER TVM), Maruthamala PO, Vithura, Thiruvananthapuram, 695551, Kerala, India)

資料名:
Vacuum  (Vacuum)

巻: 199  ページ: Null  発行年: 2022年 
JST資料番号: E0347A  ISSN: 0042-207X  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写(コピー)して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写(コピー)は郵送またはFAXでお送りします

※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。