文献
J-GLOBAL ID:202202288866586234
整理番号:22A0561575
エピタキシャル層トンネル電界効果トランジスタの性能に及ぼす界面トラップ電荷と温度の影響【JST・京大機械翻訳】
Impact of interface trap charge and temperature on the performance of epitaxial layer tunnel field effect transistor
著者 (2件):
Debnath Radhe Gobinda
(Department of Electronics and Communication Engineering, National Institute of Technology Silchar, Assam, 788010, India)
,
Baishya Srimanta
(Department of Electronics and Communication Engineering, National Institute of Technology Silchar, Assam, 788010, India)
資料名:
Microelectronics Journal
(Microelectronics Journal)
巻:
120
ページ:
Null
発行年:
2022年
JST資料番号:
A0186A
ISSN:
0026-2692
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)