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文献
J-GLOBAL ID：202202289497721866
整理番号：22A0924753
歪多層カーボンナノチューブに基づくメモリスタ【JST・京大機械翻訳】
Memristors based on strained multi-walled carbon nanotubes
Il’ina Marina V.
(Southern Federal University, Institute of Nanotechnologies, Electronics and Equipment Engineering, Shevchenko St., 2, Taganrog 347922, Russian Federation)
,
Il’in Oleg I.
(Southern Federal University, Research Laboratory of Functional Nanomaterials Technology, Shevchenko St., 2, Taganrog 347922, Russian Federation)
,
Osotova Olga I.
(Southern Federal University, Research Laboratory of Functional Nanomaterials Technology, Shevchenko St., 2, Taganrog 347922, Russian Federation)
,
Smirnov Vladimir A.
(Southern Federal University, Institute of Nanotechnologies, Electronics and Equipment Engineering, Shevchenko St., 2, Taganrog 347922, Russian Federation)
,
Ageev Oleg A.
(Southern Federal University, Institute of Nanotechnologies, Electronics and Equipment Engineering, Shevchenko St., 2, Taganrog 347922, Russian Federation)
,
Ageev Oleg A.
(Southern Federal University, Research and Education Center “Nanotechnologies”, Shevchenko St., 2, Taganrog 347922, Russian Federation)
資料名：
Diamond and Related Materials
(Diamond and Related Materials)
巻： 123 ページ： Null 発行年： 2022年
JST資料番号： W0498A ISSN： 0925-9635 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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