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文献
J-GLOBAL ID：202202290116404818
整理番号：22A0466998
電解質ゲートトランジスタに基づくデュアルモード樹枝状デバイス増強ニューラルネットワーク【JST・京大機械翻訳】
Dual-mode dendritic devices enhanced neural network based on electrolyte gated transistors
Jing Zhaokun
(School of Integrated Circuits, Peking University, Beijing 100871, People’s Republic of China)
,
Yang Yuchao
(School of Integrated Circuits, Peking University, Beijing 100871, People’s Republic of China)
,
Yang Yuchao
(Center for Brain Inspired Chips, Institute for Artificial Intelligence, Peking University, Beijing 100871, People’s Republic of China)
,
Yang Yuchao
(Center for Brain Inspired Intelligence, Chinese Institute for Brain Research (CIBR), Beijing 102206, People’s Republic of China)
,
Huang Ru
(School of Integrated Circuits, Peking University, Beijing 100871, People’s Republic of China)
,
Huang Ru
(Center for Brain Inspired Chips, Institute for Artificial Intelligence, Peking University, Beijing 100871, People’s Republic of China)
,
Huang Ru
(Center for Brain Inspired Intelligence, Chinese Institute for Brain Research (CIBR), Beijing 102206, People’s Republic of China)
資料名：
Semiconductor Science and Technology
(Semiconductor Science and Technology)
巻： 37 号： 2 ページ： 024002 (7pp) 発行年： 2022年
JST資料番号： E0503B ISSN： 0268-1242 CODEN： SSTEET 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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