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文献
J-GLOBAL ID：202202290341579553
整理番号：22A0397964
28nm FD-SOIにおける超低電圧スイッチトキャパシタRF電力増幅器に及ぼす前方ボディバイアスの影響【JST・京大機械翻訳】
Impact of Forward Body-Biasing on Ultra-Low Voltage Switched-Capacitor RF Power Amplifier in 28 nm FD-SOI
Tochou Guillaume
(STMicroelectronics, Crolles, France)
,
Cathelin Andreia
(STMicroelectronics, Crolles, France)
,
Frappe Antoine
(Univ. Lille, CNRS, Centrale Lille, Junia, Lille, France)
,
Kaiser Andreas
(Univ. Lille, CNRS, Centrale Lille, Junia, Lille, France)
,
Rabaey Jan
(Berkeley Wireless Research Center, University of California at Berkeley, Berkeley, CA, USA)
資料名：
IEEE Transactions on Circuits and Systems 2: Express Briefs
(IEEE Transactions on Circuits and Systems 2: Express Briefs)
巻： 69 号： 1 ページ： 50-54 発行年： 2022年
JST資料番号： W0347A ISSN： 1549-7747 CODEN： ITCSFK 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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