文献
J-GLOBAL ID:202202290341579553
整理番号:22A0397964
28nm FD-SOIにおける超低電圧スイッチトキャパシタRF電力増幅器に及ぼす前方ボディバイアスの影響【JST・京大機械翻訳】
Impact of Forward Body-Biasing on Ultra-Low Voltage Switched-Capacitor RF Power Amplifier in 28 nm FD-SOI
著者 (5件):
Tochou Guillaume
(STMicroelectronics, Crolles, France)
,
Cathelin Andreia
(STMicroelectronics, Crolles, France)
,
Frappe Antoine
(Univ. Lille, CNRS, Centrale Lille, Junia, Lille, France)
,
Kaiser Andreas
(Univ. Lille, CNRS, Centrale Lille, Junia, Lille, France)
,
Rabaey Jan
(Berkeley Wireless Research Center, University of California at Berkeley, Berkeley, CA, USA)
資料名:
IEEE Transactions on Circuits and Systems 2: Express Briefs
(IEEE Transactions on Circuits and Systems 2: Express Briefs)
巻:
69
号:
1
ページ:
50-54
発行年:
2022年
JST資料番号:
W0347A
ISSN:
1549-7747
CODEN:
ITCSFK
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)