文献
J-GLOBAL ID:202202290721037892
整理番号:22A0430494
欠陥蓄積が固有絶縁破壊と絶縁破壊後伝導をもたらす輸送モデル【JST・京大機械翻訳】
A transport model describing how defect accumulation leads to intrinsic dielectric breakdown and post-breakdown conduction
著者 (3件):
Xu Yueming
(Department of Chemical and Biological Engineering, Rensselaer Polytechnic Institute, Troy, NY 12180, USA)
,
Lu Toh-Ming
(Department of Physics, Applied Physics and Astronomy, Rensselaer Polytechnic Institute, Troy, NY 12180, USA)
,
Plawsky Joel L.
(Department of Chemical and Biological Engineering, Rensselaer Polytechnic Institute, Troy, NY 12180, USA)
資料名:
Microelectronics Reliability
(Microelectronics Reliability)
巻:
128
ページ:
Null
発行年:
2022年
JST資料番号:
C0530A
ISSN:
0026-2714
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)