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文献
J-GLOBAL ID：202202291530063536
整理番号：22A0637273
ナノリボンGaN HEMTの電力性能を改善するための費用効果技術【JST・京大機械翻訳】
A cost-effective technology to improve power performance of nanoribbons GaN HEMTs
Soltani A.
(IEMN/CNRS 8520, Cite Scientifique, Avenue Poincare, Villeneuve d’Ascq 59651, France)
,
Benbakhti B.
(School of Engineering, Liverpool John Moores University, L3 3AF Liverpool, United Kingdom)
,
Gerbedoen J.-C.
(LIMMS/CNRS-IIS, UMI 2820, The University of Tokyo, Lille 59000, France)
,
Khediri A.
(Laboratoire de Microelectronique Appliquee, Universite Djillali Liabes de Sidi Bel Abbes, Sidi Bel Abbes 22000, Algeria)
,
Maher H.
(LN2, CNRS-IRI-3463, 3IT, Universite de Sherbrooke, 3000 Bd de l’Universite, Sherbrooke J1K0A5, Quebec, Canada)
,
Salvestrini J.-P.
(UMI 2958 CNRS, Georgia Institute of Technology, GT-Lorraine, Metz 57070, France)
,
Ougazzaden A.
(UMI 2958 CNRS, Georgia Institute of Technology, GT-Lorraine, Metz 57070, France)
,
Bourzgui N. E.
(IEMN/CNRS 8520, Cite Scientifique, Avenue Poincare, Villeneuve d’Ascq 59651, France)
,
Barkad H. A.
(Institut Universitaire de Technologie Industrielle, Universite de Djibouti, BP 1904 Djibouti, Djibouti)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 120 号： 4 ページ： 042102-042102-6 発行年： 2022年
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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