文献
J-GLOBAL ID:202202293508883397
整理番号:22A0978107
5Gモバイル応用のための電圧トラッキング支援回路を有するデュアルレールアーキテクチャを特徴とする5nm低電力SRAM【JST・京大機械翻訳】
5-nm Low-Power SRAM Featuring Dual-Rail Architecture With Voltage-Tracking Assist Circuit for 5G Mobile Application
著者 (6件):
Baeck Sangyeop
(Design Enablement Team, Samsung Electronics Company Ltd., Hwaseong, South Korea)
,
Lee Inhak
(Design Enablement Team, Samsung Electronics Company Ltd., Hwaseong, South Korea)
,
Tang Hoyoung
(Design Enablement Team, Samsung Electronics Company Ltd., Hwaseong, South Korea)
,
Seo Dongwook
(Design Enablement Team, Samsung Electronics Company Ltd., Hwaseong, South Korea)
,
Choi Jaeseung
(Design Enablement Team, Samsung Electronics Company Ltd., Hwaseong, South Korea)
,
Song Taejoong
(Design Enablement Team, Samsung Electronics Company Ltd., Hwaseong, South Korea)
資料名:
IEEE Solid-State Circuits Letters
(IEEE Solid-State Circuits Letters)
巻:
5
ページ:
50-53
発行年:
2022年
JST資料番号:
W3688A
ISSN:
2573-9603
CODEN:
ISCLCN
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)