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文献
J-GLOBAL ID：202202299171065789
整理番号：22A0956691
SOIトンネルFETにおける界面トラップ感度に影響を与えるゲート電極の役割【JST・京大機械翻訳】
Role of gate electrode in influencing interface trap sensitivity in SOI tunnel FETs
Deb Deepjyoti
(Department of Electronics and Communication Engineering, School of Engineering, Tezpur University, Assam 784028, India)
,
Goswami Rupam
(Department of Electronics and Communication Engineering, School of Engineering, Tezpur University, Assam 784028, India)
,
Baruah Ratul Kr
(Department of Electronics and Communication Engineering, School of Engineering, Tezpur University, Assam 784028, India)
,
Saha Rajesh
(Department of Electronics and Communication Engineering, MNIT Jaipur, Jaipur, Rajasthan 302017, India)
,
Kandpal Kavindra
(Department of Electronics and Communication Engineering, IIIT Allahabad, Prayagraj, Uttar Pradesh 211015, India)
資料名：
Journal of Micromechanics and Microengineering
(Journal of Micromechanics and Microengineering)
巻： 32 号： 4 ページ： 044006 (15pp) 発行年： 2022年
JST資料番号： W1424A ISSN： 0960-1317 CODEN： JMMIEZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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