選択酸化マスクを用いて作製した自己整列形相補的バイポーラトランジスタ

INOUE M; MATSUZAWA A; KANDA A; SADAMATSU H

文献

J-GLOBAL ID：200902003554843175 整理番号：88A0067360

選択酸化マスクを用いて作製した自己整列形相補的バイポーラトランジスタ

Self-aligned complementary bipolar transistors fabricated with a selective-oxidation mask.

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=88A0067360&COPY=1") }}
このテーマを更に深掘りする（JDreamⅢへ） {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=88A0067360&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=C0222A") }}

著者 (4件)： , , ,
資料名：
巻： 34 号： 10 ページ： 2146-2152 発行年： 1987年10月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

表記トランジスタを試作した。このデバイスは2μmのエピタキシ...

,...

このテーマを更に深掘りする（JDreamⅢへ） {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=88A0067360&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=C0222A") }}

トランジスタ

, , , ,

前のページに戻る