文献

J-GLOBAL ID：200902105407683550   整理番号：02A0622588

GaN及びGaInN中の貫通転位

Threading Dislocations in GaN and GaInN.

著者 (7件)： 宮嶋孝夫 (ソニー CT開発本部) ,  日野智公 (ソニー CT開発本部) ,  冨谷茂隆 (ソニー TSセ) ,  やな嶋克典 (ソニー CT開発本部) ,  朝妻庸紀 (ソニー CT開発本部) ,  小林俊雅 (ソニー CT開発本部) ,  池田昌夫 (ソニー白石セミコンダクタ 開セ)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 102  号： 115(ED2002 73-95)  ページ： 21-24  発行年： 2002年06月14日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： GaN系半導体中に存在する貫通転位を3種類の線欠陥-刃状,混...

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,...
準シソーラス用語： 窒化ガリウムインジウム ,...

   このテーマを更に深掘りする（JDreamⅢへ）  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=02A0622588&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=S0532B") }}

分類 (3件)： 発光素子  (NC03082G) ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (2件)： GaN ,  貫通転位