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J-GLOBAL ID：200902105678322952   整理番号：02A0471468

H₂ガス雰囲気中でレーザーアブレーション法により堆積したシリコンのナノ構造

著者 (5件)： 松本公久 (甲南大) ,  中川洋之 (甲南大) ,  稲田貢 (甲南大 HRC) ,  梅津郁朗 (甲南大) ,  杉村陽 (甲南大)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 49th  号： 3  ページ： 1131  発行年： 2002年03月27日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *パルスレーザ照射 ,...
準シソーラス用語： 圧力依存性

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  レーザ照射・損傷  (BK16040S)

タイトルに関連する用語 (6件)： H2 ,  ガス雰囲気 ,  レーザーアブレーション法 ,  堆積 ,  シリコン ,  ナノ構造