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J-GLOBAL ID：200902110954227202   整理番号：01A0224153

RFスパッタリング法により作製されたa-SiOx:H薄膜の微細構造と発光機構の関係

Microstructure in a-SiOx:H prepared by RF sputtering method and its effect on radiative recombination mechanism.

著者 (4件)： 吉田謙一 (甲南大) ,  稲田貢 (甲南大 ハイテクリサーチセ) ,  梅津郁朗 (甲南大) ,  杉村陽 (甲南大)
資料名： Memoirs of Konan University. Science and Engineering Series  (Memoirs of Konan University. Science and Engineering Series)
巻： 47  号： 2  ページ： 119-132  発行年： 2000年12月25日 
JST資料番号： F0795A  ISSN： 1348-0383  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 組成比を変化させたa-SiO_x:H薄膜...

シソーラス用語： RFスパッタリング ,...

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (4件)： RFスパッタリング ,  作製 ,  薄膜 ,  微細構造