文献

J-GLOBAL ID：200902114585704072   整理番号：00A0770733

GaAs(211)A上に低堆積量で形成させたInAs量子ドットの発光特性

Photoluminescence property of self-assembled InAs/GaAs quantum dots on GaAs(211)A at low coverage.

著者 (5件)： 大西一洋 (甲南大) ,  VACCARO P O (ATR Adaptive Communications Res. Lab., Kyoto, JPN) ,  原邦彦 (甲南大) ,  梅津郁朗 (甲南大) ,  杉村陽 (甲南大)
資料名： Memoirs of Konan University. Science and Engineering Series  (Memoirs of Konan University. Science and Engineering Series)
巻： 47  号： 1  ページ： 21-29  発行年： 2000年07月25日 
JST資料番号： F0795A  ISSN： 1348-0383  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： GaAs(211)A基板上にInAs/GaAs 量子ドット(...

シソーラス用語： *光ルミネセンス ,...

   このテーマを更に深掘りする（JDreamⅢへ）  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=00A0770733&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=F0795A") }}

分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： GaAs ,  堆積量 ,  InAs量子ドット ,  発光特性