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J-GLOBAL ID：200902124920522230   整理番号：98A0001292

キャリア注入水準がSi結晶の再結合ライフタイムに与える影響

Impact of carrier injection level on the recombination lifetime in Si crystal.
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著者 (2件)：
栗田一成

栗田一成 について

(三菱マテリアルシリコン)

三菱マテリアルシリコン について

, 
新行内隆之

新行内隆之 について

(三菱マテリアルシリコン)

三菱マテリアルシリコン について


資料名：
応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)

応用物理学会学術講演会講演予稿集 について


巻： 58th  号： 1  ページ： 290  発行年： 1997年10月 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)
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タイトルに関連する用語
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キャリア注入

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水準

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Si結晶

Si結晶 について

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再結合

再結合 について

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タイム

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