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J-GLOBAL ID：200902126029038282   整理番号：94A0903025

GD法によるa-Si:H堆積の際の表面脱水素反応

Dehydrogenation Reaction in Growing Surface of a-Si:H.
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著者 (3件)：
前田敬二

前田敬二 について

(東京理大 基礎工)

東京理大 基礎工 について

, 
黒江淳

黒江淳 について

(東京理大 基礎工)

東京理大 基礎工 について

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梅津郁朗

梅津郁朗 について

(東京理大 基礎工)

東京理大 基礎工 について


資料名：
応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)

応用物理学会学術講演会講演予稿集 について


巻： 55th  号： 2  ページ： 773  発行年： 1994年09月 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)
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タイトルに関連する用語
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Gd

Gd について

, 
Si

Si について

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堆積

堆積 について

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脱水素反応

脱水素反応 について


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