文献

J-GLOBAL ID：200902130462565138   整理番号：93A0832363

シリコン表面の不活性化法に関する研究

Study of Passivation Method of Si Surface.

著者 (1件)： 栗田一成 (東北大 電通研)
資料名： 東北大学電通談話会記録  (Record of Electrical and Communication Engineering Conversazione, Tohoku University)
巻： 62  号： 1  ページ： 155-156  発行年： 1993年07月 
JST資料番号： F0511A  ISSN： 0385-7719  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： HF処理されたSi(111)面は原子レベルで荒れているが,純...

シソーラス用語： ケイ素 ,...

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分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (3件)： シリコン ,  不活性化法 ,  研究