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J-GLOBAL ID：200902133440398709   整理番号：00A0294015

GaN系埋め込みリッジ型レーザの作製評価

Fabrication of GaN Laser Diodes with Buried-Ridge Structure.

著者 (9件)： 山口恭司 (ソニーコアテクノロジー&ネットワークカンパニー) ,  朝妻庸紀 (ソニーコアテクノロジー&ネットワークカンパニー) ,  浅野竹春 (ソニー白石セミコンダクタ) ,  日野智公 (ソニー白石セミコンダクタ) ,  やな嶋克典 (ソニー白石セミコンダクタ) ,  冨谷茂隆 (ソニー) ,  船戸健次 (ソニーコアテクノロジー&ネットワークカンパニー) ,  小林俊雅 (ソニーコアテクノロジー&ネットワークカンパニー) ,  池田昌夫 (ソニー白石セミコンダクタ)
資料名： Proceedings of the Sony Research Forum  (Proceedings of the Sony Research Forum)
巻： 9th  ページ： 321-324  発行年： 2000年02月01日 
JST資料番号： L1705A  ISSN： 1340-3508  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： Al_0.6Ga<sub>0.4</su...

シソーラス用語： 窒化ガリウム ,...
準シソーラス用語： 埋込みリッジ構造

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分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (6件)： GaN ,  埋め込み ,  リッジ ,  レーザ ,  作製 ,  評価