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J-GLOBAL ID：200902136675894672   整理番号：99A0581297

RFスパッタで作製したa-Si:HのPhotoluminescence(PL)特性

Photoluminescence(PL) Properties of a-Si:H Thin Films Deposited by RF-sputtering.

著者 (6件)： 室田考俊 (甲南大) ,  吉田謙一 (甲南大) ,  高島良彰 (甲南大) ,  川田雅之 (甲南大) ,  梅津郁朗 (甲南大) ,  杉村陽 (甲南大)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 59th  号： 2  ページ： 813  発行年： 1998年09月 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (4件)： RFスパッタ ,  作製 ,  Si ,  PL