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J-GLOBAL ID：200902138283533690   整理番号：98A0027760

RFスパッタ法によって作製したa-Siの水素プラズマ処理

Effects of H2 plasma treatment on a-Si film prepared by RF Sputtering.

著者 (4件)： 川田雅之 (甲南大) ,  室田考俊 (甲南大) ,  梅津郁朗 (甲南大) ,  杉村陽 (甲南大)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 58th  号： 2  ページ： 901  発行年： 1997年10月 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (4件)： RFスパッタ法 ,  作製 ,  Si ,  水素プラズマ