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J-GLOBAL ID：200902138346080624   整理番号：98A0027273

レーザーアブレーション法で作製されたSi超微粒子の発光 (温度依存性)

Temperature-dependent photoluminescence of silicon nanocrystallites prepared by inert gas ambient pulsed laser ablation.

著者 (6件)： 柴田耕作 (甲南大 理) ,  山口尚士 (甲南大 理) ,  梅津郁朗 (甲南大 理) ,  杉村陽 (甲南大 理) ,  山田由佳 (松下技研) ,  吉田岳人 (松下技研)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 58th  号： 2  ページ： 711  発行年： 1997年10月 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (5件)： レーザーアブレーション法 ,  作製 ,  Si ,  超微粒子 ,  温度依存性