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J-GLOBAL ID：200902140925212855 整理番号：95A1009362
a-Si:H堆積中のDangling Bond生成機構
Mechanism of Dangling Bond Formation in a-Si:H during Deposition.
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著者 (2件)：
前田敬二
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梅津郁朗
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資料名：
応用物理学会学術講演会講演予稿集 (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
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巻：
56th
号：
2
ページ：
774
発行年：
1995年08月
JST資料番号：
Y0055A
資料種別：
会議録 (C)
発行国：
日本 (JPN)
言語：
日本語 (JA)
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