GaAs(211)A上に低堆積量で形成させたInAs量子ドットの発光特性

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J-GLOBAL ID：200902144849396912 整理番号：99A1009432

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資料名：
巻： 60th 号： 1 ページ： 409 発行年： 1999年09月01日
JST資料番号： Y0055A 資料種別：会議録 (C)
発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

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