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J-GLOBAL ID：200902150722999634   整理番号：01A0266570

加工・計測 3 高出力半導体レーザの高コヒーレント化と直接応用 3.4 オンチップレーザーによる高コヒーレント化 (光産業技術振興協会S)

著者 (1件)： 平等拓範 (分子科研 分子制御レーザー開研セ)
資料名： 光技術動向調査報告書16 平成11年度
ページ： 448-453  発行年： 2000年 
JST資料番号： N20003013  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 励起固体レーザーは,大量の半導体レーザー(LD)出力光を束ね...

シソーラス用語： *半導体レーザ ,...

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分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (5件)： 計測 ,  高出力 ,  半導体レーザ ,  コヒーレント ,  応用