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J-GLOBAL ID：200902153065592099   整理番号：02A0622624

GaN系半導体レーザ中の結晶欠陥

Structural Defects in GaN-based Semiconductor Laser Diodes.

著者 (5件)： 冨谷茂隆 (ソニー テクニカルソリューションセンター) ,  日野智公 (ソニー) ,  宮嶋孝夫 (ソニー) ,  竹谷元伸 (ソニー 開セ) ,  池田昌夫 (ソニー 開セ)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 102  号： 116(ED2002 96-115)  ページ： 71-74  発行年： 2002年06月15日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 選択横方向成長GaNエピタキシャル膜(ELO-GaN)上に形...

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,...
準シソーラス用語： カソードルミネセンス顕微鏡

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分類 (3件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  半導体レーザ  (BD04070L) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (3件)： GaN ,  半導体レーザ ,  結晶欠陥